電力電容器介質損耗因素測試

電容器介質損耗因數(shù)的測試目的

電容器介質損耗因數(shù)和電容器絕緣介質的種類、厚度、浸漬劑的特性以及制造工藝有關。電容器tanδ的測量能靈敏地反映電容器絕緣介質受潮、擊穿等絕緣缺陷，對制造過程中真空處理和剩余壓力、引線端子焊接不良、有毛刺、鋁箔或膜紙不平整等工藝的問題也有較靈敏的反應，所以說電容器介質損耗因數(shù)是電容器絕緣優(yōu)劣的重要指標。

耦合電容器測試介質損耗因數(shù)的測試

測試接線

一般采用正接線，分析比較時采用反接線測量。正接線測試接線如圖5-4(a)所示，反接線測試接線如圖5-4(b)所示。采用正接線測量時，耦合電容器高壓電極接測試電壓，法蘭接地，耦合電容器低壓電極小套管接電橋Cx端，若被試品沒有小套管， C,端與法蘭連接并墊絕緣物測量。采用反接線時，耦合電容器高壓電極接電橋C,端法蘭和小套管接地。

測試步驟

采用正接線測量時，先將被試電容器對地放電并接地，拆除被試電容器對外所有一次連接線，電容器法蘭接地，打開小套管接地線并與電橋C,端相連接，高壓引線接至電容器高壓電極，取下接地線，檢查接線無誤后，通知其他人員遠離被試品并監(jiān)護。合上試驗電源，從零開始升壓至測試電壓進行測試，測試電壓為10kV。測試完畢后先將電壓降到零，然后讀取測量數(shù)據，切斷電源，對被試品進行放電并接地，拆除測試引線。特別注意小套管接地引線的恢復。

采用反接線測量時，電橋Cx端接電容器高壓電極，低壓電極接地。測量下節(jié)耦合電容器時下法蘭和小套管接地，采用反接線測量時，橋體接地應直接與被試品接地點直接連接，測試電壓為10kV。

斷路器電容器介質損耗因數(shù)的測試

測試接線

通常采用正接線，如圖5-5 所示，測量時被試電容器一端接測試電壓，另一端接電橋Cx端。如斷口電容器在安裝前測試，應注意測量端要墊絕緣物。

測試步驟

1、交接時斷口電容器的tanδ 應在安裝前測試，主要是避免斷路器滅弧室的影響。測試前先將被試電容器對地放電并接地，高壓引線接至斷路器電容器一端電極，電容器另一端接電橋Cx端。取下接地線，檢查接線無誤后，通知其他人員遠離被試電容器。合上試驗電源，從零開始升壓至測試電壓進行測試，測試電壓為10kV。測試完畢后將電壓降到零后讀取測量數(shù)據，然后切斷電源，對被試品進行放電并接地

2、預防性試驗時，如果測試數(shù)據偏大，可將電容器拆下進行測試。

電容器介質損耗因數(shù)測試注意事項

測試電容器介質損耗因數(shù)的注意事項有:

1、測試應在良好的天氣下進行，電容器本身及環(huán)境溫度不低于+5℃，電容器表面臟污、潮濕時，應采取擦拭和烘干等措施減少表面泄漏電流的影響，必要時加屏蔽環(huán)屏蔽表面泄漏電流。

2、采用反接線測量時，電橋本體用截面較大的裸銅導線可靠接地，接地點應直接與被試品接地點直接連接

3、接線緊湊、布置合理，注意電場、磁場干擾。測試現(xiàn)場如有電場或磁場干擾應采用移相法、倒相法或變頻法等抗干擾法進行測量。

4、高壓引線連接應緊密牢靠，否則接觸電阻會對膜紙復合絕緣電容器 tanδ帶來誤差。

5、測試前必須檢查電容器是否漏油。如漏油，則電容器應退出運行，不必進行測試。

6、電容器 tanδ測量通常采用正接線。如果檢查瓷套絕緣狀況，可使用反接線測試，反接線能反映瓷套裂紋及內壁受潮的絕緣缺陷。

例如

一臺型號為 OY-110/√3-0.01的耦合電容器,原始tanδ測試數(shù)據是0.2%，電容量0.00998μF，測試環(huán)境溫度 29℃，本次測試數(shù)據 0.3%，電容量0.011μF，測試環(huán)境溫度30℃，tanδ增大，電容量增長明顯，仔細檢查發(fā)現(xiàn)耦合電容器上法蘭與瓷套結合處滲油。分析認為耦合電容器密封不嚴進水受潮，導致絕緣劣化。因為良好的油紙絕緣的tan在10~30℃范圍內是穩(wěn)定的或變化很小的，只有絕緣劣化， tanδ變化才會明顯，電容量增大顯著，說明電容器進水受潮，因為水的介電系數(shù)比電容器油要高。

7、電容器內部元件為串聯(lián)、并聯(lián)結構，特別是耦合電容器等電容器串聯(lián)元件較多，，別元件短路、開路或劣化，tanδ反應并不是很靈敏，還要結合電容量的變化綜合判斷。